ASTM F 723-1988 掺硼和掺磷杂质硅片的电阻率与掺杂密度的换算
作者:标准资料网 时间:2024-05-19 23:01:37 浏览:9127
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【英文标准名称】:ConversionBetweenResistivityandDopantDensityforBoron-DopedandPhosphorus-DopedSilicon
【原文标准名称】:掺硼和掺磷杂质硅片的电阻率与掺杂密度的换算
【标准号】:ASTMF723-1988
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1988
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:工艺;掺杂剂;硅;硼;电子工程;电阻器;变换;磷;密度
【英文主题词】:boron;conversion;electronicengineering;dopingagents;phosphorus;processes;density;resistors;silicon
【摘要】:
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_040_30
【页数】:15P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:掺硼和掺磷杂质硅片的电阻率与掺杂密度的换算
【标准号】:ASTMF723-1988
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1988
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:工艺;掺杂剂;硅;硼;电子工程;电阻器;变换;磷;密度
【英文主题词】:boron;conversion;electronicengineering;dopingagents;phosphorus;processes;density;resistors;silicon
【摘要】:
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_040_30
【页数】:15P;A4
【正文语种】:英语
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